- 最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
- 2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后，研發和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區的寶山2nm首座晶圓廠P1已經完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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- 據外媒，除了傳統客戶聯發科、AMD、英偉達、英特爾、高通外，特斯拉也已確認參與臺積電(TSMC)明年的3nm NTO芯片設計定案（New Tape-Outs，NTOs）。報道稱，特斯拉成為臺積電N3P的客戶也表明，其打算利用該尖端技術生產下一代全自動駕駛(FSD)智能駕駛芯片。據了解，臺積電N3P工藝計劃預計在2024年投產，與N3E工藝相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。臺積電表示，N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標，以及技術成熟度，都超過了英特爾的18A工藝。
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- 11月6日，聯發科發布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創新，取消了低功耗核心簇，轉而采用“全大核”架構，包含四顆Cortex-X4 超大核（最高頻率可達3.25GHz）以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題，但聯發科予以否認并聲稱其性能表現出色。近期有爆料稱聯發科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略，反而將在明年的天璣9400上繼續采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
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- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術與訂單仍保持一定優勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進GAA技術，三星還是得向臺積電看齊學習。即使如此，三星也打算透過低價策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開始使用GAA技術，量產時間也比臺積電早數個月，但在良率與技術上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術。三星不甘示弱，希望能在2納米領域上扭
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- 日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產的產率。日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
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日立高新 測試測量 GAA CFET
- IT之家 11 月 22 日消息，臺積電初代 3nm 工藝 N3B 目前僅有一個客戶在用，那就是蘋果。根據中國臺灣《工商時報》的消息，目前 3nm 晶圓每片接近 2 萬美元（IT之家備注：當前約 14.3 萬元人民幣） ，而良率為 55%，所以目前只有蘋果一家愿意且有能力支付，而且蘋果目前也預訂了臺積電今年大部分 3nm 產能。隨著 3nm 代工產能拉升，臺積電 3nm 產能今年底有望達到 6～7 萬片，全年營收占比有望突破 5％，明年更有機會達到 1 成。據稱，在英偉達、高通、聯發科
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臺積電 晶圓代工 3nm
- 10月31日消息，蘋果舉行新品發布會，線上發布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎款同時公布，蘋果官方在發布會中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統一內存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統一內存，速度最高比
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- 作為當前全球最先進的制程工藝，臺積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產，其中三星電子是在6月30日開始量產，臺積電則是在12月29日開始商業化生產。從外媒最新的報道來看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰。此前預計三星的良品率在今年將超過60%，臺積電的良品率在8月份時就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認為是完整的3nm制程工藝產品。3n
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- 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業現在已經開始這一領域的研發，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示，研究員建構一個單片3DCFET，
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- 目前三星和臺積電（TSMC）都已在3nm制程節點上實現了量產，前者于2022年6月宣布量產全球首個3nm工藝，后者則在同年12月宣布啟動3nm工藝的大規模生產，蘋果最新發布的iPhone 15 Pro系列機型上搭載的A17 Pro應用了該工藝。據ChosunBiz報道，雖然三星和臺積電都已量產了3nm工藝，不過兩者都遇到了良品率方面的問題，都正在努力提高良品率及產量。三星在3nm工藝上采用下一代GAA（Gate-All-Around）晶體管技術，而臺積電沿用了原有的FinFET晶體管技術，無論如何取舍和選
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- 今日，蘋果舉辦發布會，正式推出了包括iPhone 15系列和Apple Watch Series 9 / Ultra 2在內的多款產品，其售價從1999元到13999元不等。其中iPhone 15 Pro/15 Pro Max的最大亮點也是芯片，其搭載的A17 Pro 芯片，也是業界首款 3 nm芯片。集成了 190 億顆晶體管，晶體管間僅有 12 個硅原子寬度的縫隙，內置六核 CPU的性能是 A16 Bionic 的兩倍，而效率則高達四倍。作為對比，A15 有 150 億個晶體管，A14有118 億個晶
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- 千呼萬喚始出來，北京時間 9 月 13 日凌晨 1 點，蘋果秋季新品發布會準時拉開帷幕，主題為「好奇心上頭」。在今年的蘋果「春晚」的短短一個小多小時中，蘋果總共發布了 7 款新品，包括：4 款全新 iPhone 15 系列、3 款新 Apple Watch。本場發布會最大亮點：iPhone 15 Pro 系列搭載全球業界首款 3nm 手機芯片，包含 2 顆高性能核心和 4 顆高能效核心，集成了 190 億顆晶體管。此前爆料曾多次提到，蘋果將為 iPhone 15 Pro 系列會取消掉祖傳的「靜音按鈕」，在
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